水浸超聲掃描顯微鏡自研發(fā)成功以來在工業(yè)和軍事應(yīng)用中使用的高端半導體電子產(chǎn)品的制造商長期一直依賴精確的測試方法來識別缺陷的位置，例如微電子設(shè)備中的空隙、裂縫和不同層的分層，也稱為一個微芯片。制造商還采用掃描聲學顯微鏡 (SAM)，這是一種非侵入性和非破壞性的超聲波檢測方法，已成為在各種芯片生產(chǎn)步驟和封裝后的最終質(zhì)量檢測中檢測和分析缺陷的行業(yè)標準。

關(guān)于超聲掃描顯微鏡的掃描模式的不同常用的掃描模式主要有這些：按照檢測結(jié)果分為A掃描、B掃描、C掃描，三種不同的檢測模式，各有不同的優(yōu)勢，選擇合適的檢測模式，可以達到事半功倍的效果。

A：一點掃描：用波形圖來反應(yīng)缺陷的大致位置，優(yōu)點：最客觀的缺陷判基準。缺點：缺陷展示不直觀，無法有效計算缺陷面積厚度等參數(shù)。需要有波形判斷經(jīng)驗的專業(yè)人員分析判斷，人為誤判的影響較大。常見于低頻無損探傷領(lǐng)域，便攜式無損探傷儀器常用方法，專業(yè)無損探傷人員需要考取無損探傷證書。

A掃描是波形顯示，在示波器屏幕上橫坐標代表時間，縱坐標代表反射波的強度，根據(jù)反射波的強度大致估計缺陷的嚴重程度，根據(jù)反射波在橫軸的位置人工計算出缺陷的位置。操作人員需要根據(jù)示波器上的波形，將缺陷的大致范圍標記在工件上。

B掃描顯示的是縱向截面掃描圖像，B掃描的結(jié)果相對比較直觀，采用數(shù)字像技術(shù)，B掃描是將反射波信號的相對位置顯示在一張圖上。在B掃描的圖像上，我們可以看到樣品不同位置的反射波信號。和金相圖像基本對應(yīng)。 優(yōu)點是利于計算物件的縱深，及厚度。

C掃描顯示的是橫向截面的情況。首先C掃描采用圖像處理技術(shù)，不同于A，B掃描模式時候的數(shù)字處理計算，可以方便直觀的找出缺陷情況，看出缺陷趨勢，甚至計算出缺陷的面積，更全面精準的反映出工件質(zhì)量情況，